什么是静电破坏？_常见静电问答Q&A_什么是静电破坏？_知识

随着近来的零件小型化和半导体高集成化趋势，因静电放电（ESD）而引起的电路或器件的静电破坏已成为一大问题。

众所周知，MOS结构的IC、FET及高频器件等产品对静电非常敏感，容易受到静电破坏。

半导体器件的静电破坏模式
器件的静电破坏模式大致分为以下3种：人体带电模式（HBM）、机器模式（MM）、器件带电模式（CDM）。

■ 人体带电模式（HBM）
人体所带的电荷接触到器件端子时放电的模式。

发生原因（例如）

● 未穿着防静电腕带、导电鞋

● 直接用手接触端子等

■ 机器模式（MM）
金属装置所带的电荷接触到器件端子时放电的模式。

发生原因（例）

●设备或机器人的带电、接地不充分

●电络铁的电源泄漏等

■ 器件带电模式（CDM)
器件的导体部（芯片、电线、引线框等）带静电、器件端子接触到设备或工具夹具时放电的模式。

发生原因（例如）

●IC的自动装配机的搬运部发生摩擦带电等

* 人体带电模式（HBM）
* 机器模式（MM）
* 器件带电模式（CDM）

解决方案

产品中心